Чип памяти Samsung V-NAND девятого поколения на 1 ТБ. Источник: Samsung
Технологический прорыв в мире памяти
Samsung сделала беспрецедентный шаг в развитии флеш-памяти, создав первый в мире 900-слойный чип V-NAND. Этот инновационный продукт напрямую нацелен на растущий рынок инфраструктуры искусственного интеллекта и дата-центров.
Революционная технология Cell Multi-Bonding
Ключ к успеху — технология Cell Multi-Bonding (CMB), которая позволяет объединить два 450-слойных модуля в единый чип. Такой подход не только увеличивает плотность хранения данных, но и существенно снижает энергопотребление устройств.
Гонка технологий
Текущая разработка Samsung ставит компанию впереди основных конкурентов, включая SK Hynix с их 321-слойными чипами. Более того, Samsung уже готовит память десятого поколения с более чем 400 слоями, демонстрируя непрерывное стремление к технологическому лидерству.
Технические инновации
Инженеры Samsung не только увеличили количество слоев, но и оптимизировали внутреннюю структуру чипа. Усовершенствованные Bitline и Wordline позволили уменьшить размеры и снизить энергопотребление, решив сложные технические проблемы вертикального стекования.
Глобальный контекст
Разработка ускорена в том числе конкуренцией со стороны китайской YMTC, которая уже производит 294-слойные NAND-чипы. Это подтверждает тезис о том, что технологическая гонка в полупроводниковой индустрии не останавливается ни на минуту.
Источник: ETNews